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FDSOI Floating Body Cell eDRAM Using Gate-Induced Drain-Leakage (GIDL) Write Current for High Speed and Low Power Applications

Title: FDSOI Floating Body Cell eDRAM Using Gate-Induced Drain-Leakage (GIDL) Write Current for High Speed and Low Power Applications
Authors: Puget, Sophie; Bossu, Germain; Fenouiller-Beranger, Claire; Perreau, Pierre; Masson, Pascal; Mazoyer, Pascale; Lorenzini, Philippe; Portal, Jean-Michel; Bouchakour, Rachid; Skotnicki, Thomas
Source: 2009 IEEE International Memory Workshop Memory Workshop, 2009. IMW '09. IEEE International. :1-2 May, 2009
Relation: 2009 IEEE International Memory Workshop (IMW)
Database: IEEE Xplore Digital Library