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A New Technological Process to Realize InGaAsP/InP Semi-Insulating Buried Heterostructure Lasers Emitting at 1.55 μm

Title: A New Technological Process to Realize InGaAsP/InP Semi-Insulating Buried Heterostructure Lasers Emitting at 1.55 μm
Authors: Fang, R.Y.; Bertone, D.; Bricconi, A.; Greborio, L.; Magnetti, G.; Meliga, M.; Morello, G.; Paoletti, R.
Source: ESSDERC '96: Proceedings of the 26th European Solid State Device Research Conference Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96. Proceedings of the 26th European. :533-536 Sep, 1996
Relation: Proceedings of the 26th European Solid State Device Research Conference
Database: IEEE Xplore Digital Library