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Progressive Schottky junction reaction induced degradation in Pt-sunken gate InP HEMT MMICs for high reliability applications

Title: Progressive Schottky junction reaction induced degradation in Pt-sunken gate InP HEMT MMICs for high reliability applications
Authors: Chou, Y. C.; Leung, D. L.; Biedenbender, M.; Buttari, D.; Eng, D. C.; Tsai, R. S.; Lin, C. H.; Lee, L. S.; Mei, X. B.; Wojtowicz, M.; Barsky, M. E.; Lai, R.; Oki, A. K.; Block, T. R.
Source: 2010 IEEE International Reliability Physics Symposium Reliability Physics Symposium (IRPS), 2010 IEEE International. :807-812 May, 2010
Relation: 2010 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Database: IEEE Xplore Digital Library