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High reliability performance of 0.1-μm Pt-sunken gate InP HEMT low-noise amplifiers on 100 mm InP substrates

Title: High reliability performance of 0.1-μm Pt-sunken gate InP HEMT low-noise amplifiers on 100 mm InP substrates
Authors: Chou, Y. C.; Leung, D. L.; Biedenbender, M.; Eng, D. C.; Buttari, D.; Mei, X. B.; Lin, C. H.; Tsai, R. S.; Lai, R.; Barsky, M. E.; Wojtowicz, M.; Oki, A. K.; Block, T. R.
Source: 2010 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) Indium Phosphide & Related Materials (IPRM), 2010 International Conference on. :1-4 May, 2010
Relation: 2010 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM)
Database: IEEE Xplore Digital Library