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GaN/InGaN Heterojunction Bipolar Transistors With $f_{T} > \hbox{5}\ \hbox{GHz}$

Title: GaN/InGaN Heterojunction Bipolar Transistors With $f_{T} > \hbox{5}\ \hbox{GHz}$
Authors: Shen, S.-C.; Dupuis, R. D.; Lee, Y.-C.; Kim, H.-J.; Zhang, Y.; Lochner, Z.; Yoder, P. D.; Ryou, J.-H.
Source: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 32(8):1065-1067 Aug, 2011
Database: IEEE Xplore Digital Library