| Title: |
Integration of 4F2 selector-less crossbar array 2Mb ReRAM based on transition metal oxides for high density memory applications |
| Authors: |
Lee, Hyung Dong; Kim, S. G.; Cho, K.; Hwang, H.; Choi, H.; Lee, J.; Lee, S. H.; Lee, H. J.; Suh, J.; Chung, S.-O.; Kim, Y. S.; Kim, K. S.; Nam, W. S.; Cheong, J. T.; Kim, J. T.; Chae, S.; Hwang, E.-R.; Park, S. N.; Sohn, Y. S.; Lee, C. G.; Shin, H. S.; Lee, K. J.; Hong, K.; Jeong, H. G.; Rho, K. M.; Kim, Y. K.; Chung, S.; Nickel, J.; Yang, J. J.; Cho, H. S.; Perner, F.; Williams, R. S.; Lee, J. H.; Park, S. K.; Hong, S.-J. |
| Source: |
2012 Symposium on VLSI Technology (VLSIT) VLSI Technology (VLSIT), 2012 Symposium on. :151-152 Jun, 2012 |
| Relation: |
2012 IEEE Symposium on VLSI Technology |
| Database: |
IEEE Xplore Digital Library |