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A Simplified Physical Model of RF Channel Breakdown in AlGaN/GaN HFETs

Title: A Simplified Physical Model of RF Channel Breakdown in AlGaN/GaN HFETs
Authors: Schimizzi, R. D.; Trew, R. J.; Bilbro, G. L.
Source: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 59(11):2973-2978 Nov, 2012
Database: IEEE Xplore Digital Library