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InGaBiAs/InP semiconductors for mid-infrared applications: Dependence of bandgap and spin-orbit splitting on temperature and bismuth content

Title: InGaBiAs/InP semiconductors for mid-infrared applications: Dependence of bandgap and spin-orbit splitting on temperature and bismuth content
Authors: Hosea, T. J. C.; Marko, I. P.; Batool, Z.; Hild, K.; Jin, S. R.; Hossain, N.; Chai, G. M. T.; Sweeney, S. J.; Petropoulos, J. P.; Zhong, Y.; Dongmo, P. B.; Zide, J. M. O.
Source: 2012 IEEE 3rd International Conference on Photonics Photonics (ICP), 2012 IEEE 3rd International Conference on. :154-158 Oct, 2012
Relation: 2012 IEEE 3rd International Conference on Photonics (ICP)
Database: IEEE Xplore Digital Library