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Dopant dynamics and defects evolution in implanted silicon under laser irradiations: A coupled continuum and kinetic Monte Carlo approach

Title: Dopant dynamics and defects evolution in implanted silicon under laser irradiations: A coupled continuum and kinetic Monte Carlo approach
Authors: Fisicaro, G.; Pelaz, L.; Aboy, M.; Lopez, P.; Italia, M.; Huet, K.; Cristiano, F.; Essa, Z.; Yang, Q.; Bedel-Pereira, E.; Hackenberg, M.; Pichler, P.; Quillec, M.; Taleb, N.; Magna, A. La
Source: 2013 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2013 International Conference on. :33-36 Sep, 2013
Relation: 2013 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
Database: IEEE Xplore Digital Library