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Impact of Al2O3 Passivation on AlGaN/GaN Nanoribbon High-Electron-Mobility Transistors

Title: Impact of Al2O3 Passivation on AlGaN/GaN Nanoribbon High-Electron-Mobility Transistors
Authors: Joglekar, S.; Azize, M.; Jones, E.J.; Piedra, D.; Gradecak, S.; Palacios, T.
Source: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 63(1):318-325 Jan, 2016
Database: IEEE Xplore Digital Library