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An 1800 V triple implanted vertical 6H-SiC MOSFET

Title: An 1800 V triple implanted vertical 6H-SiC MOSFET
Authors: Peters, D.; Schorner, R.; Friedrichs, P.; Volkl, J.; Mitlehner, H.; Stephani, D.
Source: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 46(3):542-545 Mar, 1999
Database: IEEE Xplore Digital Library