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Electrical performance of triple implanted vertical silicon carbide MOSFETs with low on-resistance

Title: Electrical performance of triple implanted vertical silicon carbide MOSFETs with low on-resistance
Authors: Peters, D.; Friedrichs, P.; Schorner, R.; Mitlehner, H.; Weis, B.; Stephani, D.
Source: 11th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs. ISPSD'99 Proceedings (Cat. No.99CH36312) Power semiconductor devices and ICs Power Semiconductor Devices and ICs, 1999. ISPSD '99. Proceedings., The 11th International Symposium on. :103-106 1999
Relation: 11th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs. ISPSD '99
Database: IEEE Xplore Digital Library