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Normally-off AlGaN/GaN recessed MOS-HEMTs on normally-on epitaxial structures for microwave power applications

Title: Normally-off AlGaN/GaN recessed MOS-HEMTs on normally-on epitaxial structures for microwave power applications
Authors: Xuan, L. Trinh; Aubry, R.; Michel, N.; Patard, O.; Jacquet, J.-C.; Piotrowicz, S.; Oualli, M.; Gamarra, P.; Potier, C.; Lancereau, D.; Delage, S. L.; Laurent, S.; Bouysse, P.; Quere, R.
Source: 2016 11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC) Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2016 11th European. :65-68 Oct, 2016
Relation: 2016 11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
Database: IEEE Xplore Digital Library