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Evidence of Time-Dependent Vertical Breakdown in GaN-on-Si HEMTs

Title: Evidence of Time-Dependent Vertical Breakdown in GaN-on-Si HEMTs
Authors: Borga, M.; Meneghini, M.; Rossetto, I.; Stoffels, S.; Posthuma, N.; Van Hove, M.; Marcon, D.; Decoutere, S.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Source: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 64(9):3616-3621 Sep, 2017
Database: IEEE Xplore Digital Library