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Range studies of aluminum, boron, and nitrogen implants in 4H-SiC

Title: Range studies of aluminum, boron, and nitrogen implants in 4H-SiC
Authors: Stief, R.; Lucassen, M.; Schork, R.; Ryssel, H.; Holzlein, K.-H.; Rupp, R.; Stephani, D.
Source: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings (Cat. No.98EX144) Ion implantation technology Ion Implantation Technology Proceedings, 1998 International Conference on. 2:760-763 vol.2 1998
Relation: 1998 International Conference on Ion Implantation Technology. Proceedings. Ion Implantation Technology - 98
Database: IEEE Xplore Digital Library