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Low temperature analysis of 0.25 /spl mu/m T-gate strained Si/Si/sub 0.55/Ge/sub 0.45/ n-MODFET's

Title: Low temperature analysis of 0.25 /spl mu/m T-gate strained Si/Si/sub 0.55/Ge/sub 0.45/ n-MODFET's
Authors: Aniel, F.; Zerounian, N.; Adde, R.; Zeuner, M.; Hackbarth, T.; Konig, U.
Source: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 47(7):1477-1483 Jul, 2000
Database: IEEE Xplore Digital Library