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Characterization of fast 4.5 kV SiC p-n diodes

Title: Characterization of fast 4.5 kV SiC p-n diodes
Authors: Peters, D.; Friedrichs, P.; Mitlehner, H.; Schoerner, R.; Weinert, U.; Weis, B.; Stephani, D.
Source: 12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings (Cat. No.00CH37094) Power semiconductor devices and ICs Power Semiconductor Devices and ICs, 2000. Proceedings. The 12th International Symposium on. :241-244 2000
Relation: 12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings
Database: IEEE Xplore Digital Library