Katalog Plus
Bibliothek der Frankfurt UAS
Bald neuer Katalog: sichern Sie sich schon vorab Ihre persönlichen Merklisten im Nutzerkonto: Anleitung.
Dieses Ergebnis aus IEEE Xplore Digital Library kann Gästen nicht angezeigt werden.  Login für vollen Zugriff.

First Demonstration of 3D stacked Finfets at a 45nm fin pitch and 110nm gate pitch technology on 300mm wafers

Title: First Demonstration of 3D stacked Finfets at a 45nm fin pitch and 110nm gate pitch technology on 300mm wafers
Authors: Vandooren, A.; Franco, J.; Wu, Z.; Parvais, B.; Li, W.; Witters, L.; Walke, A.; Peng, L.; Deshpande, V.; Rassoul, N.; Hellings, G.; Jamieson, G.; Inoue, F.; Devriendt, K.; Teugels, L.; Heylen, N.; Vecchio, E.; Zheng, T.; Rosseel, E.; Vanherle, W.; Hikavyy, A.; Mannaert, G.; Chan, B. T.; Ritzenthaler, R.; Mitard, J.; Ragnarsson, L.; Waldron, N.; De Heyn, V.; Demuynck, S.; Boemmels, J.; Mocuta, D.; Ryckaert, J.; Collaert, N.
Source: 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2018 IEEE International. :7.1.1-7.1.4 Dec, 2018
Relation: 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Database: IEEE Xplore Digital Library