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A 30 ns 16 Mb 2 b/cell Embedded Flash with Ramped Gate Time-Domain Sensing Scheme for Automotive Application

Title: A 30 ns 16 Mb 2 b/cell Embedded Flash with Ramped Gate Time-Domain Sensing Scheme for Automotive Application
Authors: Kiesel, Sebastian; Kern, Thomas; Wicht, Bernhard; Graeb, Helmut
Source: 2019 International Symposium on VLSI Design, Automation and Test (VLSI-DAT) VLSI Design, Automation and Test (VLSI-DAT), 2019 International Symposium on. :1-4 Apr, 2019
Relation: 2019 International Symposium on VLSI Design, Automation and Test (VLSI-DAT)
Database: IEEE Xplore Digital Library