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Investigating the Current Collapse Mechanisms of p-GaN Gate HEMTs by Different Passivation Dielectrics

Title: Investigating the Current Collapse Mechanisms of p-GaN Gate HEMTs by Different Passivation Dielectrics
Authors: Li, X.; Posthuma, N.; Bakeroot, B.; Liang, H.; You, S.; Wu, Z.; Zhao, M.; Groeseneken, G.; Decoutere, S.
Source: IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 36(5):4927-4930 May, 2021
Database: IEEE Xplore Digital Library