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Selective Enablement of Dual Dipoles for near Bandedge Multi-Vt Solution in High Performance FinFET and Nanosheet Technologies

Title: Selective Enablement of Dual Dipoles for near Bandedge Multi-Vt Solution in High Performance FinFET and Nanosheet Technologies
Authors: Bao, R.; Watanabe, K.; Zhang, J.; Zhou, H.; Sankarapandian, M.; Li, J.; Pancharatnam, S.; Jamison, P.; Southwick, R. G; Wang, M.; Demarest, J. J; Guo, J.; Loubet, N.; Basker, V.; Guo, D.; Narayanan, V.; Haran, B.; Bu, H.; Khare, M.
Source: 2020 IEEE Symposium on VLSI Technology VLSI Technology, 2020 IEEE Symposium on. :1-2 Jun, 2020
Relation: 2020 IEEE Symposium on VLSI Technology
Database: IEEE Xplore Digital Library