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3D Sequential Low Temperature Top Tier Devices using Dopant Activation with Excimer Laser Anneal and Strained Silicon as Performance Boosters

Title: 3D Sequential Low Temperature Top Tier Devices using Dopant Activation with Excimer Laser Anneal and Strained Silicon as Performance Boosters
Authors: Vandooren, A.; Wu, Z.; Parihar, N.; Franco, J.; Parvais, B.; Matagne, P.; Debruyn, H.; Mannaert, G.; Devriendt, K.; Teugels, L.; Vecchio, E.; Radisic, D.; Rosseel, E.; Hikavyy, A.; Chan, B. T.; Waldron, N.; Mitard, J.; Besnard, G.; Alvarez, A.; Gaudin, G.; Schwarzenbach, W.; Radu, I.; Nguyen, B. Y.; Huet, K.; Tabata, T.; Mazzamuto, F.; Demuynck, S.; Boemmels, J.; Collaert, N.; Horiguchi, N.
Source: 2020 IEEE Symposium on VLSI Technology VLSI Technology, 2020 IEEE Symposium on. :1-2 Jun, 2020
Relation: 2020 IEEE Symposium on VLSI Technology
Database: IEEE Xplore Digital Library