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Investigation and Modeling of Etching Through Silicon Carbide Vias (TSiCV) for SiC Interposer and Deep SiC Etching for Harsh Environment MEMS by DoE

Title: Investigation and Modeling of Etching Through Silicon Carbide Vias (TSiCV) for SiC Interposer and Deep SiC Etching for Harsh Environment MEMS by DoE
Authors: Mackowiak, P.; Erbacher, K.; Schiffer, M.; Manier, C.; Topper, M.; Ngo, H.; Schneider-Ramelow, M.; Lang, K.
Source: IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology IEEE Trans. Compon., Packag. Manufact. Technol. Components, Packaging and Manufacturing Technology, IEEE Transactions on. 12(3):437-445 Mar, 2022
Database: IEEE Xplore Digital Library