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Impacts of Area-Dependent Defects on the Yield and Gate Oxide Reliability of SiC Power MOSFETs

Title: Impacts of Area-Dependent Defects on the Yield and Gate Oxide Reliability of SiC Power MOSFETs
Authors: Liu, Tianshi; Zhu, Shengnan; Jin, Michael; Shi, Limeng; White, Marvin H.; Agarwal, Anant K.
Source: 2021 IEEE 8th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA) Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 2021 IEEE 8th Workshop on. :5-8 Nov, 2021
Relation: 2021 IEEE 8th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA)
Database: IEEE Xplore Digital Library