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TCAD Modeling of the Dynamic VTH Hysteresis Under Fast Sweeping Characterization in p-GaN Gate HEMTs

Title: TCAD Modeling of the Dynamic VTH Hysteresis Under Fast Sweeping Characterization in p-GaN Gate HEMTs
Authors: Tallarico, A.N.; Millesimo, M.; Bakeroot, B.; Borga, M.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Sangiorgi, E.; Fiegna, C.
Source: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(2):507-513 Feb, 2022
Database: IEEE Xplore Digital Library