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Study of Drain Injected Breakdown Mechanisms in AlGaN/GaN-on-SiC HEMTs

Title: Study of Drain Injected Breakdown Mechanisms in AlGaN/GaN-on-SiC HEMTs
Authors: Yang, F.; Singh, M.; Uren, M.J.; Martin, T.; Hirshy, H.; Casbon, M.A.; Tasker, P.J.; Kuball, M.
Source: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(2):525-530 Feb, 2022
Database: IEEE Xplore Digital Library