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1200V GaN Switches on Sapphire Substrate

Title: 1200V GaN Switches on Sapphire Substrate
Authors: Gupta, G.; Kanamura, M.; Swenson, B.; Bisi, D.; Romanczyk, B.; Neufeld, C.; Wienecke, S.; Ogino, T.; Miyazaki, Y.; Imanishi, K.; Ikeda, J.; Kamiyama, M.; Guerrero, J.; Labrecque, M.; Prejdova, R.; Cruse, B.; McKay, J.; Bolante, G.; Wang, Z.; Hosoda, T.; Wu, Y.; Parikh, P.; Lal, R.; Mishra, U.
Source: 2022 IEEE 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2022 IEEE 34th International Symposium on. :349-352 May, 2022
Relation: 2022 IEEE 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)
Database: IEEE Xplore Digital Library