Katalog Plus
Bibliothek der Frankfurt UAS
Bald neuer Katalog: sichern Sie sich schon vorab Ihre persönlichen Merklisten im Nutzerkonto: Anleitung.
Dieses Ergebnis aus IEEE Xplore Digital Library kann Gästen nicht angezeigt werden.  Login für vollen Zugriff.

A Comparison of Ion Implantation at Room Temperature and Heated Ion Implantation on the Body Diode Degradation of Commercial 3.3 kV 4H-SiC Power MOSFETs

Title: A Comparison of Ion Implantation at Room Temperature and Heated Ion Implantation on the Body Diode Degradation of Commercial 3.3 kV 4H-SiC Power MOSFETs
Authors: Qian, Jiashu; Liu, Tianshi; Soto, Jake; Al-Jassim, Mowafak M.; Stahlbush, Robert; Mahadik, Nadeemullah; Shi, Limeng; Jin, Michael; Agarwal, Anant K.
Source: 2022 IEEE 9th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA) Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA), 2022 IEEE 9th Workshop on. :49-53 Nov, 2022
Relation: 2022 IEEE 9th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA)
Database: IEEE Xplore Digital Library