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On the Fitting and Improvement of RRAM Stanford-Based Model Parameters Using TiN/Ti/HfO2/W Experimental Data

Title: On the Fitting and Improvement of RRAM Stanford-Based Model Parameters Using TiN/Ti/HfO2/W Experimental Data
Authors: Mahboubi, V.; Arumi, D.; Gomez, A.; Rodriguez, R.; Manich, S.
Source: 2022 37th Conference on Design of Circuits and Integrated Circuits (DCIS) Design of Circuits and Integrated Circuits (DCIS), 2022 37th Conference on. :01-06 Nov, 2022
Relation: 2022 37th Conference on Design of Circuits and Integrated Circuits (DCIS)
Database: IEEE Xplore Digital Library