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High-Gain and Low-Dark Current GaN p-i-n Ultraviolet Avalanche Photodiodes Grown by MOCVD Fabricated Using Ion-Implantation Isolation

Title: High-Gain and Low-Dark Current GaN p-i-n Ultraviolet Avalanche Photodiodes Grown by MOCVD Fabricated Using Ion-Implantation Isolation
Authors: Bakhtiary-Noodeh, MarziehAff1; Cho, MinkyuAff2; Jeong, HoonAff2; Xu, ZhiyuAff2; Tsou, Chuan-WeiAff2; Cao, CanAff2; Shen, Shyh-ChiangAff2; Detchprohm, TheeradetchAff2; Dupuis, Russell D.Aff1, Aff2, IDs1166402108981x_cor9
Source: Journal of Electronic Materials. 50(8):4462-4468
Database: Springer Nature Journals