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Modeling the Effects of Vacancy-Manganese Defect Complexes on the Properties of GaN: A DFT + U Study

Title: Modeling the Effects of Vacancy-Manganese Defect Complexes on the Properties of GaN: A DFT + U Study
Authors: Mustapha, Lateef O.Aff1, Aff2, IDs11664025125645_cor1; Raji, Abdulrafiu T.Aff3; Benecha, Evans M.Aff3; Awe, Oluseyi E.Aff1
Source: Journal of Electronic Materials. 55(1):911-931
Database: Springer Nature Journals